OFweek电子工程网讯2017年9月19日，英特尔月发售10nm制程工艺，并计划在今年下半年开始投入生产。在“Intel精尖生产大会”上，英特尔公司继续执行副总裁，运营与销售集团总裁StacyJ·Smith展出了10nm制程工艺的硅晶圆并回应，英特尔10nm晶体管密度是其竞争对手10nm的两倍。

Intel精尖生产大会作为英特尔的老输掉，台积电与三星在硅晶圆制程工艺技术的研发步伐也不逞多让。目前早已平稳10nm制程工艺，开始布局7nm工艺。

三星布局7nm工艺台积电不甘落后由于处理器与存储器芯片的市场需求大大快速增长，三星也开始布局规划，并将公司负责管理SOC业务的团队分开统合一起。同时，三星还减少了不少合作伙伴，扩展了市场领域，如物联网、可穿着设备以及智能汽车等技术，都将是未来其发展方向。三星电子回应，“10nmFinFET技术早已十分平稳，未来将冲刺7nm技术的研发。

”但业内也爆出其10nm工艺生产过程中遭遇到良率问题，并高通多款芯片被迫回到14nm。鉴于10nm工艺的前车之鉴，未来7nm的产品良率，也不免让人捏了一把汗啊！而与三星在高通10nm订单争夺战中，台积电虽然意外败北，但在芯片制程上从而停下来脚步。预计到2018年，台积电7nm芯片将不会月上市，2020年量产5nm。摩尔定律依旧不存在英特尔仍然宿老“摩尔定律”，自去年以来市场开始猜测摩尔定律名存实亡，而在此次Intel精尖生产大会上，英特尔10nm工艺的发售，再度向全世界宣告，摩尔定律仍然不存在着。

英特尔高级院士、技术与生产事业部制程架构与构建总监MarkBohr回应，“目前7nm工艺与5nm工艺都在研发中，未来摩尔定律将不会之后前进整个行业以及英特尔的发展，这并某种程度是技术的革新，我们的生产以及制程工艺也不会不断进步与发展。”在此次大会上，英特尔也所列10nm制程工艺明确数据，虽然英特尔10nm技术发售较早，但是在鳍片间距、栅极间距、大于金属间距、逻辑单元高度以及逻辑晶体管密度等方面几乎秒杀三星与台积电的10nm工艺。

10nm明确工艺数据对比如下10纳米数据对比情况表（源于互联网）看完了这个数据，台积电与三星也是压力大幅提高，却是英特尔的10nm工艺的数据放在这里，想否认都没有办法。如果明年年末7nm工艺都没能发售的话，那么英特尔未来将会再度夺取头把交椅。目前，7nm对于三星和台积电至关重要。

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